基本信息:
- 专利标题： Insulated gate bipolar transistor
- 专利标题（中）：绝缘栅双极晶体管
- 申请号：EP94110811.0 申请日：1994-07-12
- 公开(公告)号：EP0634796B1 公开(公告)日：2000-10-04
- 发明人： Matsuda, Tadashi
- 申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 申请人地址： 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi, Kanagawa-ken 210-8572 JP
- 专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人地址： 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi, Kanagawa-ken 210-8572 JP
- 代理机构： Lehn, Werner, Dipl.-Ing.
- 优先权： JP19387793 19930712
- 主分类号： H01L29/72
- IPC分类号： H01L29/72 ; H01L29/08
公开/授权文献:
- EP0634796A1 Insulated gate bipolar transistor 公开/授权日：1995-01-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |