基本信息:
- 专利标题： Process for making metallized vias in diamond substrates
- 专利标题（中）：在Diamantsubstraten的Verfahren zur Herstellung von metallisierten Durchkontaktierungen。
- 申请号：EP94300772.4 申请日：1994-02-02
- 公开(公告)号：EP0611091A1 公开(公告)日：1994-08-17
- 发明人： Iacovangelo, Charles Dominic , Jerabek, Elihu Calvin , Wilson, Ronald Harvey , Schaefer, Peter Charles
- 申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
- 申请人地址： 1 River Road Schenectady, NY 12345 US
- 专利权人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
- 当前专利权人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
- 当前专利权人地址： 1 River Road Schenectady, NY 12345 US
- 代理机构： Pratt, Richard Wilson
- 优先权： US16367 19930211
- 主分类号： H01L21/48
- IPC分类号： H01L21/48
摘要：
A process for making metallized vias in diamond substrates is disclosed. The process involves laser-drilling a plurality of holes in a CVD diamond substrate and depositing tungsten, or a similar refractory metal, in the holes by low pressure CVD to provide substantially void-free metallized vias. Diamond substrates having metallized vias are also disclosed. The structures are useful for making multichip modules for high clock rate computers.
摘要（中）：
公开了一种在金刚石基底中制造金属化通孔的方法。 该方法包括在CVD金刚石基底中激光钻孔多个孔，并通过低压CVD在孔中沉积钨或类似难熔金属，以提供基本上无空隙的金属化通孔。 还公开了具有金属化通孔的金刚石基底。 这些结构对于制作高速率计算机的多芯片模块非常有用。