基本信息:
- 专利标题：
- 申请号：DE69840609 申请日：1998-10-22
- 公开(公告)号：DE69840609D1 公开(公告)日：2009-04-09
- 发明人： VANHAELEMEERSCH SERGE , RODIONOVICH BAKLANOV MIKHAIL
- 申请人： IMEC INTER UNI MICRO ELECTR
- 专利权人： IMEC INTER UNI MICRO ELECTR
- 当前专利权人： IMEC INTER UNI MICRO ELECTR
- 优先权： US6348797 1997-10-22; US7452498 1998-02-12
- 主分类号： H01L21/311
- IPC分类号： H01L21/311 ; G03F7/09 ; G03F7/36 ; G03F7/38 ; G03F7/40 ; H01L21/768
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3105 | ......后处理 |
| --------------------H01L21/311 | .......绝缘层的刻蚀 |