基本信息:
- 专利标题： 用于移除浸润式微影溶液的组合物及制造半导体器件的方法
- 专利标题（英）：Composition for removing immersion lithography solution and method for manufacturing semiconductor device
- 申请号：CN200610105645.7 申请日：2006-07-17
- 公开(公告)号：CN1959542B 公开(公告)日：2011-05-11
- 发明人： 郑载昌 , 李晟求
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 封新琴; 巫肖南
- 优先权： 103080/05 2005.10.31 KR
- 主分类号： G03F7/42
- IPC分类号： G03F7/42 ; G03F7/20 ; G03F7/16 ; H01L21/00
摘要：
本发明披露一种用于移除浸润式微影溶液的组合物。该组合物包括有机溶剂与酸性化合物。另外还揭示了一种用来制造半导体器件的方法，其包括浸润式微影法。当利用浸润式微影法来形成光阻剂图案时，利用浸润式微影法曝光器，在形成于底层上的阻剂薄膜上方进行曝光过程。然后，将该组合物滴在晶片上，以移除在该光阻剂薄膜上的残余浸润式微影溶液，由此改良水痕缺陷现象。
摘要（英）：
Disclosed herein is a composition for removing an immersion lithography solution. The composition includes an organic solvent and an acid compound. Also disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device including an immersion lithography process. When a photoresist pattern is formed by the immersion lithography process, an exposure process is performed on a photoresist film formed over an underlying layer with an immersion lithography exposer. Then, the composition is dripped over the wafer to remove residual immersion lithography solution on the photoresist film, thereby improving a water mark defect phenomenon.
公开/授权文献:
- CN1959542A 用于移除浸润式微影溶液的组合物及制造半导体器件的方法 公开/授权日：2007-05-09