基本信息:
- 专利标题： 磁电阻效应元件及其制造方法
- 专利标题（英）：Magnetoresistance effect device and method of production of the same
- 申请号：CN200510098765.4 申请日：2005-09-07
- 公开(公告)号：CN1755963A 公开(公告)日：2006-04-05
- 发明人： 大卫·D.贾亚普拉维拉 , 恒川孝二 , 长井基将 , 前原大树 , 山形伸二 , 渡边直树 , 汤浅新治
- 申请人： 安内华股份有限公司 , 产业技术总合研究所
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 安内华股份有限公司,产业技术总合研究所
- 当前专利权人： 安内华股份有限公司,产业技术总合研究所
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人： 张敬强
- 优先权： 2004－259280 2004.09.07 JP
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; H01L43/12 ; H01L27/22 ; G11C11/15
摘要：
本发明涉及磁电阻效应元件及其制造方法，特别是涉及利用简单的溅射成膜法制作的具有极高磁电阻比的磁电阻效应元件及其制造方法。该磁电阻效应元件包含由一对强磁性层和位于其中间的势垒层组成的积层结构，至少一个强磁性层的至少与势垒层接触的部分为非晶态，势垒层是具有单晶结构的MgO层。
公开/授权文献:
- CN1755963B 磁电阻效应元件及其制造方法 公开/授权日：2010-09-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/08 | .磁场控制的电阻器 |