基本信息:
- 专利标题： 在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法
- 专利标题（英）：Method of producing integrated semiconductor components on a semiconductor substrate
- 申请号：CN02827731.7 申请日：2002-11-26
- 公开(公告)号：CN1618115A 公开(公告)日：2005-05-18
- 发明人： P·N·斯塔夫里诺 , T·S·琼斯 , G·帕里
- 申请人： 埃皮克有限公司
- 申请人地址： 英国伦敦
- 专利权人： 埃皮克有限公司
- 当前专利权人： 埃皮克有限公司
- 当前专利权人地址： 英国伦敦
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 肖春京
- 优先权： 0128743.2 2001.11.30 GB
- 国际申请： PCT/GB2002/005318 2002.11.26
- 国际公布： WO2003/049160 EN 2003.06.12
- 进入国家日期： 2004-07-30
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01S5/026 ; C30B25/18
摘要：
提供了一种在衬底上制作多个半导体元件的方法，所述方法包含下列步骤：在所述衬底的表面上形成预定的凹凸图形；以及在所述表面上外延淀积由二种或更多种III族元素和二种或更多种V族元素的混合物组成的层；其中，所述凹凸图形导致单个步骤中淀积的所述层在具有不同凹凸图形特性的区域中形成有所述V族元素之间的不同的比率，以便在所述不同区域中提供不同的带隙。
公开/授权文献:
- CN1331195C 在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法 公开/授权日：2007-08-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |