基本信息:
- 专利标题： 常压等离子处理方法及其装置
- 专利标题（英）：Method and device for atmospheric plasma processing
- 申请号：CN01818852.4 申请日：2001-11-14
- 公开(公告)号：CN1474882A 公开(公告)日：2004-02-11
- 发明人： 屋良卓也 , 汤浅基和 , 本间孝治 , 高妻诚
- 申请人： 积水化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 积水化学工业株式会社
- 当前专利权人： 积水化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 李香兰
- 优先权： 346859/2000 2000.11.14 JP; 346861/2000 2000.11.14 JP
- 国际申请： PCT/JP2001/09941 2001.11.14
- 国际公布： WO2002/40742 JA 2002.05.23
- 进入国家日期： 2003-05-14
- 主分类号： C23C16/54
- IPC分类号： C23C16/54 ; H01L21/205 ; H01L21/31 ; H01L21/302
摘要：
提供一种常压等离子处理方法及其装置，是在大气压附近压力下，在一对相对电极的至少一个相对面上设置固体电介质，在该一对相对电极之间导入处理气体并在电极间施加电场，使得到的等离子体与被处理物体接触处理被处理物体的方法，其特征在于从该等离子体与被处理物体接触的处理部附近排出处理过的气体，利用气体气氛调整机构使该处理部附近保持在特定的气体气氛下。
公开/授权文献:
- CN1317423C 常压等离子体处理方法及其装置 公开/授权日：2007-05-23