基本信息:
- 专利标题： 一种抛光单晶硅片、抛光方法及抛光装置
- 申请号：CN202510751530.8 申请日：2025-06-06
- 公开(公告)号：CN120613261A 公开(公告)日：2025-09-09
- 发明人： 张景 , 吕合彬 , 黎晓丰 , 方蓉 , 王进
- 申请人： 安徽华晟新材料有限公司
- 申请人地址： 安徽省宣城市经济技术开发区飞彩街道清流路99号
- 专利权人： 安徽华晟新材料有限公司
- 当前专利权人： 安徽华晟新材料有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省宣城市经济技术开发区飞彩街道清流路99号
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理人： 李亚丽; 臧建明
- 主分类号： H01L21/306
- IPC分类号： H01L21/306 ; H01L21/67
摘要：
本发明提供一种抛光单晶硅片、抛光方法及抛光装置，所述抛光方法包括以下步骤：在光照环境下，使用包括HF与Cl2的蚀刻液与单晶硅片表面接触，得到所述抛光单晶硅片。本发明提供的抛光方法具有抛光蚀刻速率高、使抛光单晶硅片的抛光平整度高的优点。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |