基本信息:
- 专利标题： 加载了Fano超表面的基板及其设计方法、装置和设备
- 申请号：CN202510723706.9 申请日：2025-05-31
- 公开(公告)号：CN120527651A 公开(公告)日：2025-08-22
- 发明人： 王甲富 , 李铁夫 , 罗恒杨 , 孙辉廷 , 冯存前 , 贾宇翔 , 杨杰 , 丁畅 , 韩亚娟 , 富新民
- 申请人： 中国人民解放军空军工程大学
- 申请人地址： 陕西省西安市灞桥区长乐路甲字一号
- 专利权人： 中国人民解放军空军工程大学
- 当前专利权人： 中国人民解放军空军工程大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市灞桥区长乐路甲字一号
- 代理机构： 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- 代理人： 周达
- 主分类号： H01Q15/00
- IPC分类号： H01Q15/00
摘要：
为克服现有技术中具有半波壁结构的电磁窗口基板在大角度入射条件下半波壁性能受限的问题，本发明提供一种加载了Fano超表面的基板及其设计方法、装置和设备。所述加载了Fano超表面的基板包括形成半波壁的空基板和加载在空基板中间层的Fano超表面；Fano超表面由多个超表面单元按等距间隔周期性排列铺设在同一平面内构成，所述半波壁两侧分别激发得到两个具有相反Fano参数可配对的Fano共振；所述Fano共振的Fano峰与空基板的半波壁拼接后，拓宽大角度条件下所述半波壁的有效透明带宽，Fano谷用于提供良好的低频和高频段带外抑制作用。本发明通过设计上述加载了Fano超表面的基板实现了其半波壁性能的增强。