基本信息:
- 专利标题： 能量密度高的硅碳负极材料及制备方法
- 申请号：CN202510476980.0 申请日：2025-04-16
- 公开(公告)号：CN120483730A 公开(公告)日：2025-08-15
- 发明人： 李泉 , 白宇 , 宋宏芳 , 滕克军 , 胡家旗 , 赵东辉
- 申请人： 上海市翔丰华科技股份有限公司
- 申请人地址： 上海市宝山区萧云路635弄11号一层
- 专利权人： 上海市翔丰华科技股份有限公司
- 当前专利权人： 上海市翔丰华科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市宝山区萧云路635弄11号一层
- 代理机构： 厦门市新华专利商标代理有限公司
- 代理人： 吴成开; 徐勋夫
- 主分类号： C04B35/571
- IPC分类号： C04B35/571 ; C04B35/622 ; C04B41/89 ; H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/583 ; H01M4/58 ; H01M10/0525
摘要：
本发明公开一种能量密度高的硅碳负极材料及制备方法，其包括有以下步骤：预陶瓷聚硅氧烷微球制备、陶瓷碳化硅的制备、陶瓷碳化硅沉积硅、沉积碳以及表面包覆，得到能量密度高的硅碳负极材料。本发明采用多孔陶瓷碳化硅基底，抗压强度提高，循环1000次后容量保持率>90％，进一步降低膨胀率，且提升材料容量，并且，通过采用核‑壳包覆结构，导电聚合物层有效防止电解液直接接触硅基体，从而增强SEI界面的稳定性，以及，采用溶液法包覆与常规CVD工艺结合，生产成本能得到显著降低，适合规模化生产。