基本信息:
- 专利标题： 提高电荷-电压转换因子的CCD结构及其制作方法
- 申请号：CN202510615445.9 申请日：2025-05-14
- 公开(公告)号：CN120475749A 公开(公告)日：2025-08-12
- 发明人： 王廷栋 , 翁雪涛 , 袁安波
- 申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 唐龙波
- 主分类号： H10D44/45
- IPC分类号： H10D44/45 ; H10D44/01
摘要：
本发明公开了一种提高电荷‑电压转换因子的CCD结构及其制作方法，包括衬底和栅介质层，所述衬底上部设置有隔离区，所述隔离区的一侧设置有输出节点，另一侧设置有第一级输出MOS管，所述第一级输出MOS管包括输出管栅极和输出管源极注入区和输出管漏极注入区；所述栅介质层包括对应输出管栅极的正下方的第二栅介质层和设置于第二栅介质层外围的第一栅介质层，所述第二栅介质层的电容等效厚度大于第一栅介质层的电容等效厚度；所述输出管栅极通过节点连接引线与输出节点连接。本发明中，通过增加第一级输出MOS管的栅介质层下方的电容等效厚度，减小了第一级输出MOS管的电容，提高了CCD结构的电荷‑电压转换因子。