基本信息:
- 专利标题： 双面冷却功率封装件
- 申请号：CN202280102549.4 申请日：2022-12-14
- 公开(公告)号：CN120359612A 公开(公告)日：2025-07-22
- 发明人： 尤尔根·霍格尔 , 弗兰克·温特
- 申请人： 华为技术有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- 专利权人： 华为技术有限公司
- 当前专利权人： 华为技术有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- 国际申请： PCT/EP2022/085764 2022.12.14
- 国际公布： WO2024/125777 EP 2024.06.20
- 进入国家日期： 2025-06-11
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H01L23/373
摘要：
本发明涉及一种双面冷却功率封装件(100)，包括：第一基板(110)，在所述功率封装件(100)的顶侧(110a)上提供第一主冷却表面；第二基板(120)，在所述功率封装件(100)的底侧(120b)上提供第二主冷却表面；第一电子芯片(140)和第二电子芯片(240)，所述两个芯片安装在所述第一基板与所述第二基板之间；第三基板(130)，安装在所述第一基板与所述第二基板之间，所述第三基板包括布置在第一导电层(131)与第二导电层(132)之间的电绝缘中心层(133)；密封件(150)，密封所述第一电子芯片和所述第二电子芯片以及所述第一基板与所述第二基板之间的所述第三基板的一部分。所述第三基板的非密封部分的所述第一导电层形成用于所述第一电子芯片的外部电连接(181)的第一接头(201)。所述第三基板的非密封部分的所述第二导电层形成用于所述第二电子芯片的外部电连接(182)的第二接头(202)。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/538 | ..制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构 |