基本信息:
- 专利标题： 半导体光电探测器铟柱互连结构及其制作方法
- 申请号：CN202510215816.4 申请日：2025-02-26
- 公开(公告)号：CN120076467A 公开(公告)日：2025-05-30
- 发明人： 周建超 , 易梅 , 李波 , 孙力军
- 申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 唐龙波
- 主分类号： H10F77/00
- IPC分类号： H10F77/00 ; H10F39/90 ; H10F71/00
摘要：
本发明公开了一种半导体光电探测器铟柱互连结构及其制作方法，铟柱互连结构包括设置在光电二极管芯片上的第一互连结构和设置在光电检测集成电路上的第二互连结构；所述第一互连结构包括介质层、第一UBM金属层和第一铟柱，所述介质层的中部设置有电极孔，所述第一UBM金属层围合形成铟柱定位槽，所述第一铟柱包括固定设置在铟柱定位槽中的固定部以及设置在固定部上的定位部，所述定位部的顶部设置有互连定位槽。本发明中，通过在第一铟柱的顶部形成互连定位槽，可以在光电二极管芯片和光电检测集成电路倒焊互连时形成承插式互连结构，利用这种结构可以限制光电二极管芯片与光电检测集成电路倒焊时的侧滑，降低了器件倒焊互连时的盲元率。