基本信息:
- 专利标题： 一种在单晶Si基体上一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层的化学气相沉积方法
- 申请号：CN202510512142.4 申请日：2025-04-23
- 公开(公告)号：CN120026298A 公开(公告)日：2025-05-23
- 发明人： 唐明强 , 侯文康 , 景玮晨 , 崔新宇 , 熊天英
- 申请人： 中国科学院金属研究所
- 申请人地址： 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 专利权人： 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人： 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人地址： 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 代理机构： 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 张志伟
- 主分类号： C23C16/32
- IPC分类号： C23C16/32 ; C23C16/02 ; C30B29/06 ; C30B33/00 ; C30B33/12 ; C23C16/26 ; C23C16/448 ; C23C16/52 ; H01L21/02
摘要：
本发明属于防护涂层制备技术领域，具体涉及一种在单晶Si基体上一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层的化学气相沉积方法。采用热激发式的化学气相沉积系统，选择HMDSO/n‑Hexane体系作为原料并控制其比例，反应腔体内放置石墨棒为辅助碳源，当工作压强为100Pa~1000Pa和工作温度为1000℃~1250℃时，在单晶Si基体表面上沉积出结构致密的C缓冲层和SiC防护涂层。本发明采用的原料价格低廉且无毒无害，反应副产物无毒无害，采用此法可一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层，所制备涂层结构致密且与单晶Si基体结合良好，并可以对单晶Si基体起到优异的耐蚀防护作用。