基本信息:
- 专利标题： 二维单晶稀土化合物纳米片的制备方法
- 申请号：CN202510158856.X 申请日：2025-02-13
- 公开(公告)号：CN119640395B 公开(公告)日：2025-07-01
- 发明人： 孙皓 , 姚世鹏 , 吴金华 , 甯存政
- 申请人： 清华大学
- 申请人地址： 北京市海淀区清华园
- 专利权人： 清华大学
- 当前专利权人： 清华大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华园
- 代理机构： 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理人： 周磊
- 主分类号： C30B25/00
- IPC分类号： C30B25/00 ; C30B29/64 ; C30B29/10 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00
摘要：
本发明提供一种二维单晶稀土化合物纳米片的制备方法，涉及纳米材料技术领域。其中，二维单晶稀土化合物纳米片的制备方法包括：将基底材料放入反应室中；反应物气体通过载气进入反应室，控制载气流速和比例；同时加热反应室，控制加热速率和温度；所述反应物包括源物质和催化剂，所述源物质为稀土元素化合物，所述催化剂为非金属催化剂；所述源物质与催化剂的质量比为7:1~9:1；反应生成的固态物质沉积在基底材料表面，形成薄膜或涂层，得到二维单晶稀土化合物纳米片。本发明可以高效地制备得到具有较高质量与较高稀土元素浓度的单晶稀土化合物纳米材料。
公开/授权文献:
- CN119640395A 二维单晶稀土化合物纳米片的制备方法 公开/授权日：2025-03-18