基本信息:
- 专利标题： 一种LPST气隙磁场建模方法及电感参数获取方法
- 申请号：CN202411299669.5 申请日：2024-09-18
- 公开(公告)号：CN119249807B 公开(公告)日：2025-09-23
- 发明人： 薛婕 , 韦张建 , 陈涛 , 陈诚 , 朱雪莲 , 陈志超 , 李国栋 , 马天宇 , 薛镕刚
- 申请人： 中国船舶集团有限公司第七〇八研究所
- 申请人地址： 上海市黄浦区西藏南路1688号
- 专利权人： 中国船舶集团有限公司第七〇八研究所
- 当前专利权人： 中国船舶集团有限公司第七〇八研究所
- 当前专利权人地址： 上海市黄浦区西藏南路1688号
- 代理机构： 上海申汇专利代理有限公司
- 代理人： 翁若莹
- 主分类号： G06F30/23
- IPC分类号： G06F30/23
摘要：
本发明属于变压器领域，尤其涉及一种LPST(即直线式移相变压器)的气隙磁场建模方法及其电感参数获取方法，包括：分析LPST一、二次侧与气隙之间的关系，搭建考虑铁磁材料饱和的气隙磁场解析模型；分析LPST齿槽与气隙之间的关系，搭建考虑齿槽效应的气隙磁场修正模型；分析LPST边端与气隙之间的关系，搭建考虑铁心开断的气隙磁场修正模型。本发明搭建的LPST气隙磁场模型能同时考虑铁磁材料饱和、齿槽效应、铁心开断的影响，基于本发明的LPST气隙磁场模型，各个电感参数的计算精度高，计算维度小，计算时间短。
公开/授权文献:
- CN119249807A 一种LPST气隙磁场建模方法及电感参数获取方法 公开/授权日：2025-01-03
IPC结构图谱:
| G06F30/23 | 使用有限元方法（FEM）或有限差方法（FDM） |