基本信息:
- 专利标题： 一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法
- 申请号：CN202411317367.6 申请日：2024-09-20
- 公开(公告)号：CN119153319B 公开(公告)日：2025-10-03
- 发明人： 赵仁玉 , 赵均苒 , 石安家 , 黄超然 , 赵建辉
- 申请人： 焦作天宝桓祥机械科技有限公司
- 申请人地址： 河南省焦作市示范区中原路南段3688号
- 专利权人： 焦作天宝桓祥机械科技有限公司
- 当前专利权人： 焦作天宝桓祥机械科技有限公司
- 当前专利权人地址： 河南省焦作市示范区中原路南段3688号
- 代理机构： 河南政之桥专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 张强
- 主分类号： H01L21/18
- IPC分类号： H01L21/18 ; H01L21/04 ; C22C19/03 ; B01J3/06 ; B01J3/08
摘要：
本发明属于金刚石散热材料技术领域，具体公开了一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法，将合成块装入六面顶压机，采用分段升压工艺进行加工，每一层内部的镍锰钴合金片融化，碳化硅晶圆接触合金片的一面，碳化硅晶圆内的硅会融入镍锰钴合金片，因合成腔体内的高温超高压环境处于金刚石的稳定区，碳化硅晶圆内剩余的碳原子会以金刚石晶体结构重新排列，得到异质外延金刚石碳化硅复合晶圆。本发明通过在金刚石面硼掺杂、在碳化硅面掺杂磷，可以再晶圆上集成出芯片制造最基础的PN节结构，制造出耐电压程度更高、运行速度更快、更耐高温、制程更小的半导体芯片，对于微电子行业和高性能芯片开发具有重要的战略意义；而且单次可合成10~40片异质外延金刚石碳化硅复合晶圆。
公开/授权文献:
- CN119153319A 一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法 公开/授权日：2024-12-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |