基本信息:
- 专利标题： 发光二极管及半导体激光
- 专利标题（英）：Light emitting diode and semiconductor laser
- 申请号：CN01804240.6 申请日：2001-01-24
- 公开(公告)号：CN1189952C 公开(公告)日：2005-02-16
- 发明人： 太田裕道 , 折田政宽 , 细野秀雄 , 河村贤一 , 猿仓信彦 , 平野正浩
- 申请人： 科学技术振兴事业团 , 太田裕道 , 折田政宽
- 申请人地址： 日本埼玉县
- 专利权人： 科学技术振兴事业团,太田裕道,折田政宽
- 当前专利权人： 独立行政法人科学技术振兴机构,
- 当前专利权人地址： 日本埼玉县
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 周长兴
- 优先权： 24843/2000 2000.01.28 JP
- 国际申请： PCT/JP2001/000465 2001.01.24
- 国际公布： WO2001/056088 JA 2001.08.02
- 进入国家日期： 2002-07-26
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L21/363 ; H01S5/327
摘要：
虽可确认出于Sr2Cu2O2膜上成膜n型ZnO并显现出二极管特性，然而未能确认出来自二极管的发光。本发明是于显示出已层合于透明基板上的发光特性的n型ZnO层上，层合Sr2Cu2O2、CuAlO2或CuGaO2而成的p型半导体中的一种所形成的p-n接合而成为特征的半导体紫外线发光组件。透明基板为单晶基板，尤其以已平坦化成原子状的三氧化二钇部分安定化氧化锆(YSZ)(111)基板即可。于透明基板上，在基板温度200～1200℃成膜n型ZnO，再者于其上成膜由SrCu2O、CuAlO2或CuGaO2而成的p型半导体层。在不加热基板下，成膜n型ZnO层，照射紫外线至该ZnO膜上，亦可进行结晶化。
公开/授权文献:
- CN1397095A 发光二极管及半导体激光 公开/授权日：2003-02-12