基本信息:
- 专利标题： 利用阻性场板技术实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管
- 申请号：CN202410962198.5 申请日：2024-07-18
- 公开(公告)号：CN118712240A 公开(公告)日：2024-09-27
- 发明人： 张海忠 , 李营闯 , 许晓锐
- 申请人： 福州大学
- 申请人地址： 福建省泉州市晋江市金井镇水城路1号
- 专利权人： 福州大学
- 当前专利权人： 福州大学
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市晋江市金井镇水城路1号
- 代理机构： 福州元创专利商标代理有限公司
- 代理人： 丘鸿超; 蔡学俊
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L21/34 ; H01L29/40 ; H01L29/24
摘要：
本发明提供一种利用阻性场板技术实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管，通过介质层隔离阻性场板层与N型氧化镓外延层，以确保电流不从半导体经阻性场板层流向阳极，使得阻性场板上的电流是均匀的；基于阻性场板层的高电阻率，使得当耐压区反向耐压时，阻性场板中流过微弱的电流，在电流的路径上产生均匀的电势分布，以对半导体中的表面电场分布起到调制作用，使得表面电场呈均匀分布，以提高反向击穿电压。阻性场板层的制备方法为：通过磁控溅射技术沉积氧化镍薄膜，对磁控溅射中包括射频功率、射频温度、射频氩氧比以及射频气压的参数进行调控，以实现电阻率均匀的高阻氧化镍薄膜。
公开/授权文献:
- CN118712240B 利用阻性场板技术实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管 公开/授权日：2025-09-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |