基本信息:
- 专利标题： 硅氮化物的保形沉积
- 申请号：CN202280082080.2 申请日：2022-12-01
- 公开(公告)号：CN118402039A 公开(公告)日：2024-07-26
- 发明人： 阿维尼什·古普塔 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 , 弗兰克·洛伦·帕斯夸里
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理人： 樊英如; 张静
- 优先权： 63/265,405 2021.12.14 US
- 国际申请： PCT/US2022/080732 2022.12.01
- 国际公布： WO2023/114641 US 2023.06.22
- 进入国家日期： 2024-06-12
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/308 ; C23C16/34 ; C23C16/455 ; C23C16/04
摘要：
高质量的硅氮化物(硅氮化物表征为在稀氢氟酸中的低的湿式蚀刻速率)以高保形度的方式沉积在具有一或更多个凹陷特征的半导体衬底上。该沉积涉及将该半导体衬底暴露于含硅前体(例如，氨基硅烷)，以在该衬底上形成该含硅前体的吸附层。接着，在300℃‑750℃的温度和至少约15托(例如，15‑30托)的压强下，利用在包括N
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |