基本信息:
- 专利标题： 一种基于栅极电感和漏源耦合电感的宽带低噪声放大器
- 申请号：CN202410492453.4 申请日：2024-04-23
- 公开(公告)号：CN118399902A 公开(公告)日：2024-07-26
- 发明人： 黄同德 , 高皓 , 肖博伟 , 杨鹏威 , 袁杰 , 金锦 , 陶洪琪 , 吴文
- 申请人： 南京理工大学
- 申请人地址： 江苏省南京市孝陵卫200号
- 专利权人： 南京理工大学
- 当前专利权人： 南京理工大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市孝陵卫200号
- 代理机构： 南京理工大学专利中心
- 代理人： 徐新艳
- 主分类号： H03F1/42
- IPC分类号： H03F1/42 ; H03F1/26 ; H03F3/185 ; H03F3/45
摘要：
本发明公开了一种基于栅极电感和漏源耦合电感的宽带低噪声放大器，属于集成电路领域。低噪声放大器包括第一级放大器单元和第二级放大器单元，且采用差分输入输出。第一级放大器单元采用电容交叉耦合结构，以提高增益并降低噪声系数；第二级放大器单元在共源共栅放大器结构的基础上，添加了共栅晶体管的栅极电感，且将共栅晶体管的源级电感和漏极电感进行耦合，实现高频极点与低频极点靠近，以此提高低噪声放大器稳定性、高频响应性能，同时拓宽了带宽。该低噪声放大器应用于无线接收机射频前端，适用于K波段以及Ka波段，相比起其他低噪声放大器，本发明具有良好的增益指标与高频宽带性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03F | 放大器 |
| ------H03F1/00 | 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 |
| --------H03F1/42 | .为扩展带宽对放大器的改进 |