基本信息:
- 专利标题： 半导体结构及其形成方法
- 申请号：CN202211638876.X 申请日：2022-12-20
- 公开(公告)号：CN118231444A 公开(公告)日：2024-06-21
- 发明人： 杨卓 , 杨林宏 , 张艳红 , 张书玉 , 郝扬 , 白若
- 申请人： 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 , 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 申请人地址： 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 当前专利权人地址： 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号
- 代理机构： 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 刘燕姿; 王立娜
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/36 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明实施例涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：具有第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底上的外延层，所述外延层包括沿第一方向相邻设置的第一掺杂类型区和第二掺杂类型区，所述第一方向平行于所述衬底；所述第一掺杂类型区与所述第二掺杂类型区的离子掺杂总量相等，离子掺杂类型不同，且离子掺杂浓度的梯度方向相反。本发明实施例提供了一种局部电荷非平衡、总体电荷平衡的掺杂结构，该掺杂结构能够同时具有低导通电阻和高耐压特性，从而可以提高半导体器件的电学性能。