基本信息:
- 专利标题： 双栅堆叠的碳基晶体管、制造方法及芯片
- 申请号：CN202410374294.8 申请日：2024-03-27
- 公开(公告)号：CN118215305A 公开(公告)日：2024-06-18
- 发明人： 袁远东 , 宁宁 , 陈永强
- 申请人： 联合微电子中心有限责任公司
- 申请人地址： 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
- 专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
- 当前专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
- 当前专利权人地址： 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
- 代理机构： 北京市汉坤律师事务所
- 代理人： 初媛媛; 吴丽丽
- 主分类号： H10K19/10
- IPC分类号： H10K19/10 ; H10K10/46 ; H10K85/20 ; H10K71/00 ; H10K71/60
摘要：
公开了一种双栅堆叠的碳基晶体管、制造方法及芯片。一种双栅堆叠的碳基晶体管，包括：衬底；衬底上的第一器件层，第一器件层包括第一源/漏区域、第一漏/源区域以及第一源/漏区域与第一漏/源区域之间的第一栅极区域；第一器件层上的公共沟道层，公共沟道层包括碳纳米管；以及公共沟道层上的第二器件层，第二器件层包括第二源/漏区域、第二漏/源区域以及第二源/漏区域与第二漏/源区域之间的第二栅极区域。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10K | 有机电固态器件 |
| ------H10K19/00 | 集成器件或多个器件的组件，包含至少一个专门适合于整流、放大、振荡或切换的属于组H10K10/00的有机元件 |
| --------H10K19/10 | .包括场效应晶体管 |