基本信息:
- 专利标题： 源晶片、方法和光电子器件
- 申请号：CN202280067393.0 申请日：2022-10-05
- 公开(公告)号：CN118160103A 公开(公告)日：2024-06-07
- 发明人： 杨华 , M·德尔奈卡 , F·皮特斯 , 余国民
- 申请人： 洛克利光子有限公司
- 申请人地址： 英国柴郡
- 专利权人： 洛克利光子有限公司
- 当前专利权人： 洛克利光子有限公司
- 当前专利权人地址： 英国柴郡
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 段菊兰; 杨思捷
- 优先权： 2114242.7 2021.10.05 GB
- 国际申请： PCT/EP2022/077727 2022.10.05
- 国际公布： WO2023/057525 EP 2023.04.13
- 进入国家日期： 2024-04-03
- 主分类号： H01L31/0304
- IPC分类号： H01L31/0304 ; H01L33/00
摘要：
用于微转移印刷工艺中的源晶片。所述源晶片包含：晶片衬底；在器件试样中提供的光子组件，所述器件试样经由释放层附接到所述晶片衬底；和一个或多个蚀刻停止层，其位于所述光子组件和所述晶片衬底之间。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
| ------------H01L31/0264 | ...无机材料 |
| --------------H01L31/0304 | ....除掺杂或其他杂质外，只包含AⅢBⅤ化合物的 |