基本信息:
- 专利标题： 一种柔性铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的三源共蒸发制备方法
- 申请号：CN202311777075.6 申请日：2023-12-22
- 公开(公告)号：CN117766405A 公开(公告)日：2024-03-26
- 发明人： 万磊 , 焦宇飞 , 许光磊 , 张子硕 , 周儒 , 毛小丽 , 牛海红 , 王欢 , 徐进章
- 申请人： 合肥工业大学
- 申请人地址： 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- 专利权人： 合肥工业大学
- 当前专利权人： 合肥工业大学
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- 代理机构： 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
- 代理人： 乔恒婷
- 主分类号： H01L21/363
- IPC分类号： H01L21/363 ; H01L31/032 ; H01L31/0392 ; H01L31/068 ; C23C14/24 ; C23C14/54 ; C23C14/20 ; C23C14/06
摘要：
本发明公开了一种柔性铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的三源共蒸发制备方法，利用三源共蒸发沉积工艺在柔性基板上制备光吸收层铜锑硒，使得铜锑硒薄膜的制备方法更加简单高效，薄膜的结晶质量高、且太阳能电池可弯曲。本发明从控制蒸发源温度，衬底温度和蒸发时间出发，调节薄膜厚度与铜、锑、硒比例，通过控制温度曲线，保持第二阶段锑源与硒源的持续蒸发，维持锑和硒的蒸气氛围，从而减少薄膜中锑和硒的流失，使得柔性基板上的铜锑硒薄膜的结晶性更好。本发明在柔性基板上得到结晶性较好的铜锑硒薄膜，并制备出柔性铜锑硒太阳能电池，具有广泛的应用前景。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/36 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/363 | .....应用物理沉积，例如真空沉积、溅射 |