基本信息:
- 专利标题： 一种半导体器件的制备方法
- 申请号：CN202410193652.5 申请日：2024-02-21
- 公开(公告)号：CN117747536A 公开(公告)日：2024-03-22
- 发明人： 宋富冉 , 施平 , 周儒领 , 黄厚恒 , 杨梦宇
- 申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 代理机构： 北京成创同维知识产权代理有限公司
- 代理人： 甄丹凤
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762
摘要：
本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体层中形成掺杂区；在半导体层的第一表面形成绝缘层，并且形成从绝缘层远离半导体层的表面延伸至半导体层内部的沟槽，沟槽包括上部、下部以及上部和下部之间的顶角，掺杂区与沟槽邻接；形成第一氧化层、隔离层以及第二氧化层，所述第一氧化层覆盖所述沟槽下部的内壁以及所述顶角，所述隔离层共形地覆盖所述第一氧化层以及所述上部的内壁，所述第二氧化层覆盖所述隔离层，并且填充所述沟槽；以及去除沟槽的上部内的第二氧化层和部分的绝缘层；其中，在形成第二氧化层之后，或者在去除沟槽的上部内的第二氧化层和部分的绝缘层之后还包括对沟槽的顶角进行离子注入的步骤。
公开/授权文献:
- CN117747536B 一种半导体器件的制备方法 公开/授权日：2024-06-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/762 | ....介电区 |