基本信息:
- 专利标题： 一种多孔碳负载硅纳米线负极材料的制备方法
- 申请号：CN202410078578.2 申请日：2024-01-19
- 公开(公告)号：CN117691093A 公开(公告)日：2024-03-12
- 发明人： 廖健淞 , 严志轩 , 李钧 , 李征杰 , 包尘杰 , 胡鸿飞 , 郭小平 , 黄艳萍 , 刘中才 , 张明 , 刘国钧
- 申请人： 拓米(成都)应用技术研究院有限公司
- 申请人地址： 四川省成都市郫都区德源镇(菁蓉镇)郫温路266号创客公园2期7栋3楼
- 专利权人： 拓米(成都)应用技术研究院有限公司
- 当前专利权人： 拓米(成都)应用技术研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省成都市郫都区德源镇(菁蓉镇)郫温路266号创客公园2期7栋3楼
- 代理机构： 成都众恒智合专利代理事务所
- 代理人： 刘华平
- 主分类号： H01M4/36
- IPC分类号： H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/62 ; H01M4/04 ; H01M10/0525 ; C01B32/324 ; C01B32/348 ; C01B32/354
摘要：
本发明公开了一种多孔碳负载硅纳米线负极材料的制备方法，涉及锂离子电池技术领域，包括：将生物质碳源粉末与活化剂混合，在高温下烧结成型，研磨破碎过筛获得多孔碳粉末；将多孔碳粉末与催化剂前驱体溶液在水热反应釜中混合，加入还原剂进行水热反应，得多孔碳负载催化剂粉末；将多孔碳负载催化剂粉末置于真空管式炉中并加入气态硅源进行反应，获得多孔碳负载硅纳米线；将多孔碳负载硅纳米线置于气氛炉中，在惰性气氛保护下引入气态碳源进行包覆处理，获得多孔碳负载硅纳米线负极材料。本发明通过在多孔碳内部直接生长硅纳米线，将原有硅纳米线生长工艺、纯化工艺及浅层包覆工艺直接一步集成为硅碳负极生长工艺，极大降低了合成的工艺难度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01M | 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组 |
| ------H01M4/00 | 电极 |
| --------H01M4/02 | .由活性材料组成或包括活性材料的电极 |
| ----------H01M4/36 | ..作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择 |