基本信息:
- 专利标题： 电场辅助低退火温度下制备铁氧体薄膜的方法及薄膜
- 申请号：CN202311704108.4 申请日：2023-12-12
- 公开(公告)号：CN117637340A 公开(公告)日：2024-03-01
- 发明人： 田娜 , 段桠利 , 焦特璟 , 刘和光 , 游才印
- 申请人： 西安理工大学
- 申请人地址： 陕西省西安市碑林区金花南路5号
- 专利权人： 西安理工大学
- 当前专利权人： 西安理工大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市碑林区金花南路5号
- 代理机构： 西安弘理专利事务所
- 代理人： 徐瑶
- 主分类号： H01F41/22
- IPC分类号： H01F41/22 ; H01F41/14 ; H01F10/20
摘要：
本发明公开电场辅助低退火温度下制备铁氧体薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1、制备LNO底电极；步骤2、制备MeFO薄膜；步骤3、在MeFO薄膜表面使用导电胶作为顶电极，确保底电极与顶电极之间不联通；步骤4、施加电场。该方法解决了现有制备工艺中退火温度过高导致能耗大的问题。还提供了一种电场辅助低退火温度下制备铁氧体薄膜的方法。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01F | 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择 |
| ------H01F41/00 | 专用于制造或装配包含在本小类的装置的设备或方法 |
| --------H01F41/02 | .用于制造磁芯、线圈或磁体的 |
| ----------H01F41/22 | ..热处理；热分解；化学气相沉积 |