基本信息:
- 专利标题： 在VDMOS与LDMOS集成平台中制备LDMOS的方法
- 申请号：CN202310571932.0 申请日：2023-05-19
- 公开(公告)号：CN116525447A 公开(公告)日：2023-08-01
- 发明人： 陈云骢 , 蔡晓晴 , 刘东华
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 焦健
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
本发明公开了一种在VDMOS与LDMOS集成平台中制备LDMOS的方法，在第一半导体衬底正面通过光刻暴露需要刻蚀的区域，然后进行选择性刻蚀所述第一半导体衬底上需要生长氧化膜的区域，在所述区域形成一个局部台阶状的形貌；通过氧化工艺生长一层较厚的氧化膜，其厚度使得所形成的台阶形貌能被完全覆盖；去除所述第一半导体衬底表面的氧化膜；再提供一第二半导体衬底，将所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底叠加在一起所述第二半导体衬底叠加于所述第一半导体的正面。本发明通过局部刻蚀、生长氧化层膜和键合技术实现了局部SOI衬底结构，在该局部SOI结构处制备LDMOS，非SOI衬底结构区域制备VDMOS，既保证了VDMOS功能的实现和性能的需求，又大大降低了集成平台下的设计和工艺难度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |