基本信息:
- 专利标题： 降低氟化镁晶体空位缺陷的方法
- 申请号：CN202310329642.5 申请日：2023-03-30
- 公开(公告)号：CN116377593A 公开(公告)日：2023-07-04
- 发明人： 徐超 , 甄西合
- 申请人： 河南驭波科技有限公司
- 申请人地址： 河南省信阳市商城县城关镇轻工业园区108号
- 专利权人： 河南驭波科技有限公司
- 当前专利权人： 河南驭波科技有限公司
- 当前专利权人地址： 河南省信阳市商城县城关镇轻工业园区108号
- 代理机构： 苏州德坤知识产权代理事务所
- 代理人： 查杰
- 主分类号： C30B31/08
- IPC分类号： C30B31/08 ; C30B29/12
摘要：
本发明公开了一种降低氟化镁晶体空位缺陷的方法，采用真空炉，真空炉内设置有支撑杆和加热器，所述支撑杆顶部设置有石墨托盘，所述支撑杆用于调节石墨托盘在真空炉内的高度，先切割清洗去除氟化镁晶体毛坯表面的杂质，随后在真空炉内的石墨托盘上用高纯度的氟化铅粉末包裹氟化镁晶体毛坯，随后通过真空和充入99.9999％的高纯氩气配合去除炉内杂质，接着向真空炉内充入CF4气体，进行补偿氟化镁晶体毛坯中的F‑离子空位；扩散过程结束后抽去炉内残余气体后取出氟化镁晶体。本发明处理成本低，在不会影响晶体的光学质量前提下，还能有效提高透过率和抗辐照性能。
公开/授权文献:
- CN116377593B 降低氟化镁晶体空位缺陷的方法 公开/授权日：2024-08-27