基本信息:
- 专利标题： 碳化硅半导体装置的制造方法、碳化硅半导体装置以及电力变换装置的制造方法
- 申请号：CN202080105419.7 申请日：2020-09-30
- 公开(公告)号：CN116195070A 公开(公告)日：2023-05-30
- 发明人： 吉田基 , 田中梨菜 , 福井裕 , 八田英之
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理人： 于丽
- 国际申请： PCT/JP2020/037178 2020.09.30
- 国际公布： WO2022/070317 JA 2022.04.07
- 进入国家日期： 2023-03-22
- 主分类号： H01L29/47
- IPC分类号： H01L29/47
摘要：
本公开的碳化硅半导体装置的制造方法具备：形成栅极沟槽的工序；形成肖特基沟槽的工序；在栅极沟槽和肖特基沟槽形成氧化硅膜(51)的工序；在氧化硅膜的内侧形成多晶硅膜(61)的工序；对多晶硅膜(61)进行回蚀的工序；在栅极沟槽内的栅极电极(60)上形成层间绝缘膜(55)的工序；当在层间绝缘膜(55)开出孔之后利用湿式蚀刻法去除肖特基沟槽内的多晶硅膜(61)的工序；在源极区域(40)上形成欧姆电极(70)的工序；去除肖特基沟槽内的氧化硅膜(51)的工序；以及在所述肖特基沟槽内形成与漂移层(20)进行肖特基连接的源极电极(80)的工序。
公开/授权文献:
- CN116195070B 碳化硅半导体装置的制造方法、碳化硅半导体装置以及电力变换装置 公开/授权日：2024-11-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/47 | ...肖特基势垒电极 |