基本信息:
- 专利标题： 基于高可靠错位电极结构的光电探测器芯片及其制作方法
- 申请号：CN202310104588.4 申请日：2023-02-13
- 公开(公告)号：CN116072763B 公开(公告)日：2025-06-27
- 发明人： 樊鹏 , 黄晓峰 , 张圆圆 , 陈扬 , 石羡 , 任丽 , 邹佩洪 , 杜林 , 兰林
- 申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 唐龙波
- 主分类号： H10F71/00
- IPC分类号： H10F71/00 ; H10F30/223 ; H10F77/30 ; H10F77/20
摘要：
本发明涉及一种基于高可靠错位电极结构的光电探测器芯片及其制作方法，通过PIN型双异质结结构和双n型异质电导层结构的外延片制作共面的P、N金属电极，在光入射孔中生长增透膜，通过光敏性高分子聚合物材料填充形成平坦的芯片背部表面，最后再将晶圆解理形成单元芯片。本发明中，采用双异质结结构能够实现N电极接触孔腐蚀和InP衬底移除时的双向高精度控制和低损伤工艺；采用错位电极结构降低了n型InP电导层厚度，提高了器件对可见光的响应度；使用双面光刻技术对InP衬底进行选择性局部移除制作光入射孔，实现晶圆级的批量加工；使用对可见光透明的高分子聚合物材料对光入射孔进行填充对有源区提供了机械支撑，提高了芯片可靠性。
公开/授权文献:
- CN116072763A 基于高可靠错位电极结构的光电探测器芯片及其制作方法 公开/授权日：2023-05-05