基本信息:
- 专利标题： 约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法
- 申请号：CN202211493020.8 申请日：2022-11-25
- 公开(公告)号：CN115835767A 公开(公告)日：2023-03-21
- 发明人： 张国峰 , 王永良 , 荣亮亮 , 董慧 , 谢晓明
- 申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理人： 余明伟
- 主分类号： H10N60/01
- IPC分类号： H10N60/01 ; H10N60/12
摘要：
本发明提供一种约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法，通过制备具有不同厚度的第一超导层及第二超导层，在进行约瑟夫森结的预定义后，可对第二超导层进行第一次过刻形成第一超导条带线，并直接进行绝缘保护层的生长和剥离，而后制备第三超导层，并进行第二超导条带线的刻蚀，同时对第二超导层即第一超导条带线进行第二次过刻，以通过双过刻工艺，提供一种亚微米乃至深亚微米尺度的约瑟夫森结的制备方法，可以解决现有工艺设备的精度限制，从而降低工艺设备成本，适用于高性能实用化超导量子干涉器件和其他基于约瑟夫森结的超导电子器件的可靠制备。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N60/00 | 超导器件 |
| --------H10N60/01 | .制造或处理 |