基本信息:
- 专利标题： 一种绝缘栅器件的Bus结构
- 申请号：CN202211491716.7 申请日：2022-11-25
- 公开(公告)号：CN115799320A 公开(公告)日：2023-03-14
- 发明人： 王民安 , 饶祖刚 , 陈万军 , 项建辉 , 沈永红 , 汪璐 , 倪斌 , 郑科峰
- 申请人： 黄山芯微电子股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省黄山市祁门县新兴路449号
- 专利权人： 黄山芯微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 黄山芯微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省黄山市祁门县新兴路449号
- 代理机构： 深圳市百瑞专利商标事务所
- 代理人： 杨大庆
- 主分类号： H01L29/423
- IPC分类号： H01L29/423 ; H01L29/78
摘要：
发明公开了一种绝缘栅器件的Bus结构，包括多条多晶硅栅，相互间隔排布在多晶以及源区上，用于连接所有的栅极；相邻的多晶硅栅之间，通过间隔的多晶块连接。本发明主要是针对Bus设计成分离结构，这样有利于电场向终端区扩展，最后在终端的外围击穿，有利于提升期间的耐压。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/423 | ...不通有待整流、放大或切换电流的 |