基本信息:
- 专利标题： 功能器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Functional device and method of mfg. the same
- 申请号：CN00802961.X 申请日：2000-11-21
- 公开(公告)号：CN1157764C 公开(公告)日：2004-07-14
- 发明人： 町田晓夫 , 德哈拉姆·P·侯赛因 , 碓井节夫
- 申请人： 索尼株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 索尼株式会社
- 当前专利权人： 索尼株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 王永刚
- 优先权： 374560/1999 1999.11.22 JP; 188478/2000 2000.05.19 JP
- 国际申请： PCT/JP2000/008210 2000.11.21
- 国际公布： WO2001/039258 JA 2001.05.31
- 进入国家日期： 2001-07-20
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L29/786 ; H01L27/04 ; H01L31/04
摘要：
公开了一种无裂缝并且具有优异功能特性的功能器件及其制造方法。在有机材料例如聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的衬底(11)上，按照以下顺序形成低温软化层(12)和耐热层(13)，在其上形成多晶硅的功能层(14)。通过激光束照射使作为前体层的非晶硅层晶化，形成功能层(14)。当施加激光束时，热量传导到衬底(11)，衬底(11)发生膨胀。但是，因衬底(11)和功能层(14)之间的热膨胀系数差引起的应力被低温软化层(12)吸收，以致功能层(14)不产生裂缝和剥离。低温软化层(12)最好由含有丙烯酸树脂的聚合物材料制成。通过在衬底(11)和功能层(14)之间适当地插入金属层和耐热层，能够照射更高强度的激光束。
公开/授权文献:
- CN1337063A 功能器件及其制造方法 公开/授权日：2002-02-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |