基本信息:
- 专利标题： 碳化硅单晶生长过程中测定液面高度值的系统及方法
- 申请号：CN202211592407.9 申请日：2022-12-13
- 公开(公告)号：CN115597682B 公开(公告)日：2023-03-10
- 发明人： 柯尊斌 , 陆敏 , 王晗 , 张小勇 , 吴信杠
- 申请人： 常州臻晶半导体有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东
- 专利权人： 常州臻晶半导体有限公司
- 当前专利权人： 常州臻晶半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东
- 代理机构： 常州市科谊专利代理事务所
- 代理人： 许瑞成
- 主分类号： G01F23/24
- IPC分类号： G01F23/24
摘要：
本发明属于测量系统技术领域，具体涉及一种液相法碳化硅单晶生长过程中精确测定液面高度值的方法，本测量系统包括：导电轴、石墨杆、圆头触点、位置采集模块和电阻采集模块；位置采集模块采集导电轴的升降距离；圆头触点在导电轴及石墨杆带动下朝向石墨坩埚内溶液液面移动，圆头触点与溶液液面接触的瞬间，电阻采集模块采集到电阻值突变点，获取石墨坩埚内溶液液面的液面高度值；本发明中圆头触点采用圆锥形的石墨并在表面贴致密的石墨纸，避免接触后与溶液沾粘造成无法准确测定溶液位置，同时接触不对溶液造成污染，圆头触点接触溶液液面测定出位置后，导电轴快速上升使圆头触点短时间脱离溶液液面，重复操作获得各时间点实时对应的液面高度值。
公开/授权文献:
- CN115597682A 液相法碳化硅单晶生长过程中精确测定液面高度值的方法 公开/授权日：2023-01-13