基本信息:
- 专利标题： 远红外线感测元件及制造方法与感测介电层厚度决定方法
- 申请号：CN202110550343.5 申请日：2021-05-20
- 公开(公告)号：CN115394753B 公开(公告)日：2025-02-21
- 发明人： 蔡明翰 , 胡志帆
- 申请人： 原相科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学园区创新一路5号5楼
- 专利权人： 原相科技股份有限公司
- 当前专利权人： 原相科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学园区创新一路5号5楼
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 李兰; 孙志湧
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H10N19/00 ; H01L21/768 ; G01B11/06
摘要：
一种远红外线感测元件及制造方法与感测介电层厚度决定方法。该远红外线感测元件形成于一基板上，该远红外线感测元件包含：一感测区，形成于该基板上，该感测区用以感测远红外线信号；以及一感测介电层，形成于该感测区上，具有一感测介电层厚度，且该感测介电层厚度由一牺牲金属层所决定。
公开/授权文献:
- CN115394753A 远红外线感测元件及制造方法与感测介电层厚度决定方法 公开/授权日：2022-11-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/538 | ..制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构 |