基本信息:
- 专利标题： 多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法
- 申请号：CN202210986695.X 申请日：2022-08-17
- 公开(公告)号：CN115347062B 公开(公告)日：2025-04-29
- 发明人： 黄建 , 钟玉杰 , 向华兵 , 杨修伟 , 袁安波 , 姜华男 , 廖乃镘
- 申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 廖宇
- 主分类号： H10F77/70
- IPC分类号： H10F77/70 ; H10F30/21 ; H10F71/00
摘要：
本发明公开了一种多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法，包括在硅片表面生长一多晶硅层，多晶硅层形成有一具有第一粗糙度的初始表面；对多晶硅层进行掺杂、氧化工艺，在硅片表面形成一表面具有第二粗糙度的二氧化硅层，得到刻蚀掩膜结构；利用刻蚀掩膜结构同步刻蚀二氧化硅层及硅片的衬底，将刻蚀掩膜结构按照预设比例转移至衬底上，形成黑硅微结构，工艺简单，成本低，制备过程对设备的硬件要求低，有利于批量化生产并且与硅光电器件工艺兼容性好，制备的黑硅微纳结构精细化程度适中，近红外吸收效果好。
公开/授权文献:
- CN115347062A 多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法 公开/授权日：2022-11-15