基本信息:
- 专利标题： 一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法
- 申请号：CN202210640920.4 申请日：2022-06-07
- 公开(公告)号：CN115206800A 公开(公告)日：2022-10-18
- 发明人： 杨大宝 , 刘波 , 邢东 , 赵向阳 , 冯志红
- 申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址： 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址： 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构： 石家庄国为知识产权事务所
- 代理人： 刘少卿
- 主分类号： H01L21/329
- IPC分类号： H01L21/329 ; H01L23/373 ; H01L23/367 ; H01L29/872
摘要：
本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，其中，砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片上直接生长砷化镓多晶薄膜层，在此基础上制备肖特基二极管，金刚石基片代替砷化镓衬底作为肖特基二极管的结构支撑，工艺流程简单，生产周期短，可靠性高，提升了砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的散热性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/329 | .....包括1个或两个电极的器件，例如二极管 |