基本信息:
- 专利标题： 一种全介质隔离硅磁敏三极管制作工艺
- 申请号：CN202110402723.4 申请日：2021-04-14
- 公开(公告)号：CN114823843B 公开(公告)日：2025-09-12
- 发明人： 赵晓锋 , 李苏苏 , 于志鹏 , 温殿忠
- 申请人： 黑龙江大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
- 专利权人： 黑龙江大学
- 当前专利权人： 黑龙江大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
- 代理机构： 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 潘炜; 范国锋
- 主分类号： H10D62/10
- IPC分类号： H10D62/10 ; H10D30/01 ; H10D10/00 ; G01R33/02
摘要：
本发明公开了一种全介质隔离硅磁敏三极管及其制作工艺，所述全介质隔离硅磁敏三极管包括SOI硅磁敏三极管和介质隔离环，所述SOI硅磁敏三极管包括器件硅(1)、衬底硅(2)和埋层二氧化硅(3)，在器件硅(1)上设置有硅磁敏三极管，介质隔离环与埋层二氧化硅(3)形成全介质隔离结构。本发明公开的全介质隔离硅磁敏三极管被介质层包裹，有效实现元器件间隔离，同时限定了载流子在磁场作用下的偏转程度，改善了硅磁敏三极管的磁灵敏度和温度特性。此外，本发明还公开了融合微机电系统技术和SOI工艺制备得到的硅磁敏三极管，实现了小型化和集成化，为高性能硅磁敏三极管的批量生产奠定了基础。
公开/授权文献:
- CN114823843A 一种全介质隔离硅磁敏三极管制作工艺 公开/授权日：2022-07-29