基本信息:
- 专利标题： CMOS图像传感器及制造方法
- 申请号：CN202111657644.4 申请日：2021-12-30
- 公开(公告)号：CN114256283B 公开(公告)日：2025-09-12
- 发明人： 孙德明
- 申请人： 上海集成电路研发中心有限公司 , 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
- 专利权人： 上海集成电路研发中心有限公司,上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
- 当前专利权人： 上海集成电路研发中心有限公司,上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 曹廷廷
- 主分类号： H10F39/18
- IPC分类号： H10F39/18 ; H10F39/12
摘要：
本发明提供一种CMOS图像传感器及制造方法，所述CMOS图像传感器包括：衬底，衬底具有P型外延层；形成于P型外延层中的光电二极管；形成于P型外延层中的第一P型接触区、形成于第一P型接触区下方的P型外延层中的第一P型掺杂区以及形成于第一P型接触区上方的第一金属焊盘，通过第一P型掺杂区与P型外延层在第一金属焊盘与光电二极管之间形成电子势阱。本发明中，利用第一P型掺杂区作为第一P型接触区与光电二极管之间的电子势垒，以防止第一金属焊盘通过第一P型接触区向光电二极管发射电子形成暗电流，并利用第一P型接触区与第一P型掺杂区之间的P型外延层作为电子势阱容纳该些电子，从而降低CMOS图像传感器的暗电流。
公开/授权文献:
- CN114256283A CMOS图像传感器及制造方法 公开/授权日：2022-03-29