基本信息:
- 专利标题： 一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法
- 申请号：CN202011595840.9 申请日：2020-12-30
- 公开(公告)号：CN114093759B 公开(公告)日：2025-09-12
- 发明人： 袁家贵 , 何云 , 刘长灵 , 王登
- 申请人： 芯联集成电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
- 专利权人： 芯联集成电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 芯联集成电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 曹廷廷
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H10D64/27 ; H10D30/01
摘要：
本发明涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法，该方法是在沟槽形成、第一氧化硅层形成以及屏蔽栅形成后，先在沟槽内、沟槽侧壁以及基体表面形成第二氧化硅层，然后通过三次CMP工艺去除基体表面氧化硅层，即：先采用CMP工艺去除基体表面大部分的氧化硅层，再采用对氧化硅层和基体高选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面剩余的氧化硅层，然后采用对氧化硅层和基体低选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面损伤层；去除沟槽内屏蔽栅顶部多余的第二氧化硅层后，在沟槽内形成栅极。本发明采用无ONO的结构，简化了工艺环节，显著降低了制造成本，通过合理的平坦化工艺设计消除了对硅表面造成的损伤。
公开/授权文献:
- CN114093759A 一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法 公开/授权日：2022-02-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |