基本信息:
- 专利标题： 一种单晶金刚石籽晶与样品托焊接方法
- 申请号：CN202111328057.0 申请日：2021-11-10
- 公开(公告)号：CN114016130A 公开(公告)日：2022-02-08
- 发明人： 朱嘉琦 , 李一村 , 代兵 , 郝晓斌 , 文东岳 , 赵继文 , 张森
- 申请人： 哈尔滨工业大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构： 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
- 代理人： 侯静
- 主分类号： C30B29/04
- IPC分类号： C30B29/04 ; C30B25/20 ; C23C14/35 ; C23C14/18 ; C23C14/02
摘要：
一种单晶金刚石籽晶与样品托焊接方法，它为了解决CVD单晶金刚石生长过程中籽晶漂移和导热不良的问题。焊接方法：一、将超声清洗过的多个单晶金刚石籽晶底面朝上放置于等离子体清洗机基板上，然后进行氧等离子体表面预处理；二、采用磁控溅射镀膜设备，在单晶金刚石籽晶表面镀上金层；三、镀层后的单晶金刚石籽晶和样品托一同放入MPCVD金刚石生长设备中，对生长舱内抽真空，当生长舱内气压达到200‑250Torr、微波输入功率达到2500‑3500W、镀层后的单晶金刚石籽晶温度达到950‑1050℃时进行原位焊接。本发明可一次性快速对多个籽晶进行焊接，连接层均匀、连接牢固，提高冷却效果。
公开/授权文献:
- CN114016130B 一种单晶金刚石籽晶与样品托焊接方法 公开/授权日：2022-09-13