基本信息:
- 专利标题： 一种高导热率碳化硅器件封装结构及方法
- 申请号：CN202110808433.X 申请日：2021-07-16
- 公开(公告)号：CN113539995A 公开(公告)日：2021-10-22
- 发明人： 张昌利 , 张涵 , 金镇亨
- 申请人： 威星国际半导体(深圳)有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园B座1304
- 专利权人： 威星国际半导体(深圳)有限公司
- 当前专利权人： 威星国际半导体(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园B座1304
- 代理机构： 深圳市深弘广联知识产权代理事务所
- 代理人： 向用秀
- 主分类号： H01L23/38
- IPC分类号： H01L23/38 ; H01L21/50
摘要：
一种高导热率碳化硅器件封装结构及方法，解决了现有的碳化硅器件封装结构，随着碳化硅器件功率的增大，热量产生量增加，不利于碳化硅器件结构的稳定以及正常使用的问题，其包括热沉、粘结层、金属层、绝缘基板、电路层和微型热电偶臂，所述热沉的表面通过粘结层连接有金属层，金属层的表面通过粘结层连接有绝缘基板，绝缘基板的表面通过粘结层连接有电路层，热沉的底端通过螺栓安装有微型热电偶臂。
公开/授权文献:
- CN113539995B 一种高导热率碳化硅器件封装结构及方法 公开/授权日：2024-04-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/38 | ..应用Peltier效应的冷却装置 |