基本信息:
- 专利标题： 用于形成半导体器件金属布线的方法
- 专利标题（英）：Method for forming metal wiring of semiconductor device
- 申请号：CN95118735.X 申请日：1995-10-12
- 公开(公告)号：CN1134603A 公开(公告)日：1996-10-30
- 发明人： 崔梁圭
- 申请人： 现代电子产业株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 现代电子产业株式会社
- 当前专利权人： 现代电子产业株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 上海专利商标事务所
- 代理人： 陈亮
- 优先权： 94-26085 1994.10.12 KR
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/768
摘要：
一种用于在高集成度半导体器件中形成与下导电层接触的上金属布线的方法。此方法包括在下绝缘层上形成金属布线，在绝缘层上形成一接触孔以暴露出下导电层，以及在接触孔中生长金属层以填满此接触孔等步骤，从而金属布线层可与下导电层相接触。
公开/授权文献:
- CN1074857C 用于形成半导体器件金属布线的方法 公开/授权日：2001-11-14
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |