基本信息:
- 专利标题： 一种碳化硅二极管氧化层的光刻方法和装置
- 申请号：CN202110577487.X 申请日：2021-05-26
- 公开(公告)号：CN113433798A 公开(公告)日：2021-09-24
- 发明人： 吴沛飞 , 刘瑞 , 朱涛 , 姚兆民 , 王克胜
- 申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网山西省电力公司检修分公司
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网山西省电力公司检修分公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： G03F7/16
- IPC分类号： G03F7/16
摘要：
本发明提供一种碳化硅二极管氧化层的光刻方法和装置，对晶圆的氧化层进行增粘处理；在增粘处理后的氧化层表面涂覆光刻胶；采用光刻工艺对涂覆有所述光刻胶的晶圆进行光刻，能够保证光刻后的图形线条均匀，线条边缘整齐，进而提高工艺质量。本申请中氧化层表面增粘剂的厚度范围为10nm‑20nm，不仅厚度均匀，且避免被表面张力拉裂而起不到增粘作用，导致光刻胶与氧化层裂开，且保证了光刻胶厚度足以对厚度范围内氧化层进行充分保护，通过合理设置工艺参数，实现了套刻精度小于0.05μm，且将线宽损失量的精度控制在0.05微米内，有效实现了光刻工艺精度的控制，且提高了光刻精度。