基本信息:
- 专利标题： 导热系数估计方法、导热系数估计装置、半导体晶体制品的制造方法、导热系数运算装置、导热系数运算程序以及导热系数运算方法
- 申请号：CN201980078556.3 申请日：2019-11-18
- 公开(公告)号：CN113366303B 公开(公告)日：2024-06-11
- 发明人： 横山龙介 , 藤原俊幸 , 樋口雄介 , 宇治原彻
- 申请人： 胜高股份有限公司
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 胜高股份有限公司
- 当前专利权人： 胜高股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 闫小龙; 吕传奇
- 国际申请： PCT/JP2019/045041 2019.11.18
- 国际公布： WO2020/110796 JP 2020.06.04
- 进入国家日期： 2021-05-28
- 主分类号： G01N25/18
- IPC分类号： G01N25/18 ; C30B35/00
摘要：
本发明提供一种导热系数估计方法,该导热系数估计方法具备：将测量试样的一部分以规定的加热条件加热，测量稳定状态下的测量试样的表面的温度分布的步骤；对与测量试样相同的形状的试样模型的假定的导热系数及加热条件的多个组合实施传热模拟，对各组合计算试样模型的表面的温度分布的步骤；将所述多个组合及由该多个组合所得的温度分布的计算结果作为训练数据，使用机械学习法制作将输入作为测量试样的表面的温度分布且将输出作为测量试样的导热系数的回归模型的步骤；及将测量试样表面的温度分布测量结果输入至回归模型来估计测量试样的导热系数的步骤。
公开/授权文献:
- CN113366303A 导热系数估计方法、导热系数估计装置、半导体晶体制品的制造方法、导热系数运算装置、导热系数运算程序以及导热系数运算方法 公开/授权日：2021-09-07
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01N | 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 |
| ------G01N25/00 | 应用热方法测试或分析材料 |
| --------G01N25/18 | .通过测试热传导 |