基本信息:
- 专利标题： 一种高性能的光电探测器及其制备方法
- 申请号：CN202110517706.5 申请日：2021-05-12
- 公开(公告)号：CN113257932A 公开(公告)日：2021-08-13
- 发明人： 彭明发 , 刘玉申 , 洪学鹍 , 马玉龙 , 张磊 , 况亚伟
- 申请人： 常熟理工学院
- 申请人地址： 江苏省苏州市常熟市南三环路99号
- 专利权人： 常熟理工学院
- 当前专利权人： 常熟理工学院
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市常熟市南三环路99号
- 代理机构： 常州佰业腾飞专利代理事务所
- 代理人： 李嘉宁
- 主分类号： H01L31/0336
- IPC分类号： H01L31/0336 ; H01L31/109 ; H01L31/18 ; B82Y15/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种高性能的光电探测器制备方法，在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片，利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极，然后旋涂CsPbBr3纳米晶体，退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性，同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合，改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力，从而提高光电探测器的性能。
公开/授权文献:
- CN113257932B 一种高性能的光电探测器及其制备方法 公开/授权日：2022-11-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
| ------------H01L31/0264 | ...无机材料 |
| --------------H01L31/0328 | ....除掺杂或其他杂质外，包含已列入H01L31/0272至H01L31/032组中两组或更多个组的半导体材料 |
| ----------------H01L31/0336 | .....在不同半导体区域的，如Cu2X/CdX异质结，X为周期表中的Ⅵ族元素 |