基本信息:
- 专利标题： 存储器装置的阶梯结构
- 申请号：CN202110745130.8 申请日：2018-08-06
- 公开(公告)号：CN113241350B 公开(公告)日：2023-07-18
- 发明人： 吕震宇 , 陈俊 , 戴晓望 , 朱继锋 , 陶谦 , 黄郁茹 , 胡思平 , 姚兰 , 肖莉红 , 郑阿曼 , 鲍琨 , 杨号号
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京永新同创知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨锡劢; 赵磊
- 主分类号： H10B41/20
- IPC分类号： H10B41/20 ; H10B43/20
摘要：
公开一种半导体结构。半导体结构包括设置于基底(101)之上的阶梯结构(800)。阶梯结构(800)包括复数层堆叠层，其中各堆叠层包括设置于第二材料层(840)的一部分之上的第一材料层(502)。阶梯结构(800)还包括多个连接垫(820)，其中各连接垫(820)设置于相应的堆叠层的第二材料层(840)的另一部分之上。
公开/授权文献:
- CN113241350A 存储器装置的阶梯结构 公开/授权日：2021-08-10
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B41/00 | 具有浮栅的电可擦除和可编程只读存储器 |
| --------H10B41/20 | .以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |