基本信息:
- 专利标题： 一种多环导磁柱霍尔推力器磁路结构
- 申请号：CN202110411674.0 申请日：2021-04-16
- 公开(公告)号：CN113133173A 公开(公告)日：2021-07-16
- 发明人： 李鸿 , 刘星宇 , 丁永杰 , 魏立秋 , 于达仁
- 申请人： 哈尔滨工业大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构： 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
- 代理人： 高志光
- 主分类号： H05H1/02
- IPC分类号： H05H1/02 ; F03H1/00
摘要：
一种多环导磁柱霍尔推力器磁路结构，包含底板、内铁芯、磁极片、N组通道磁屏环和若干个导磁柱；内铁芯和N组通道磁屏环由内至外同心设置，在相邻两个通道磁屏环之间以及第N组通道磁屏环外侧分别沿周向均匀布置有多个导磁柱，形成等效导磁环，内铁芯、N组通道磁屏环和多个导磁柱均连接在底板上，内铁芯和导磁柱周侧面均缠绕有线圈，每组通道磁屏环为顶部开口的双环结构，通道磁屏环与底板垂直，内铁芯的顶部和每个导磁环的顶部连接有磁极片，其中内铁芯和布置在内铁芯顶部的磁极片均为中空结构；每个磁极片上的通孔与对应的导磁柱间隔排布。本发明可有效提升多环霍尔推力器磁路散热能力进而降低磁路温度，提升可靠性及放电稳定性。
公开/授权文献:
- CN113133173B 一种多环导磁柱霍尔推力器磁路结构 公开/授权日：2022-05-10